Микроэлектроника: Ангстрем наладит производство транзисторов SiC по японской технологии

MForum.ru

Микроэлектроника: Ангстрем наладит производство транзисторов SiC по японской технологии

02.11.2018, MForum.ru


Международное разделение труда в действии. Зеленоградский завод Ангстрем договорился о лицензировании японской технологии SiC и наладит производство кристаллов транзисторов по этой технологии. Собирать транзисторы в корпуса станет китайская компания. 

Ангстрем наладит производство транзисторов SiC по японской технологии

Подписание соглашения, фото пресс-службы компании Ангстрем

До сих пор на Ангстрем не работали с перспективной технологией SiC (карбид кремния). Между тем этот материал более устойчив к воздействию радиации, нежели чем традиционные полупроводники, изделия из него терпят более высокие рабочие температуры, что позволяет использовать SiC, например, в n-МОП транзисторах и высокотепературных тиристорах.

Применение SiC для изготовления транзисторов обычно сдерживается тем, что такие транзисторы обычно получаются более дорогими, нежели традиционные, кремниевые, что и влияет на спрос негативно. Новая патентованная технология обещает возможность производить на Ангстрем транзисторы с кристаллом меньшего размера и значительно сократить стоимость транзистора в корпусе, что повысит конкурентоспособность изделий на мировом рынке.

Ангстрем получит технологию от японской компании Japan Semiconductor Engineering & Consulting. В Зеленограде будут делать пластины с кристаллами транзисторов, а упаковкой их в корпуса займется китайская компания Taizhou Beyond Technology. Соглашение о стратегическом партнерстве между тремя компаниями заключено на 5 лет с возможностью пролонгации.

Первые образцы транзисторов по технологии SiC компания Ангстрем обещает показать на выставке Appliance & Electronics World Expo 2019 в Шанхае. Если получится найти заказы, объемы производства можно будет нарастить вплоть до нескольких миллионов кристаллов в год.

Ангстрем демонстрирует великолепный пример того, как следует строить сотрудничество в области микроэлектроники, - используя существующие мощности и персонал, получать доступ к новым технологиям и новым мировым рынкам! Жаль, что это выглядит, как исключение из неписанного правила, согласно которому российские производители полупроводников дружно ориентируются в основном на госзаказ, на небольшой внутренний рынок, формируемый в основном военным производством.

Грамотно выбрано и направление, согласно прогнозам аналитиков Allied Market Research, мировой рынок полупроводниковых изделий на базе технологии карбида кремния вырастет от текущего объема $302 млн в 2017 году до $1109 млн в 2025 году, что соответствует среднегодовому росту в 18.1% в период с 2018 по 2015 годы. Чего бы не поучаствовать в разделе этого "пирожка"?

Конечно, здесь есть и подводные камни. В частности, жесткая международная конкуренция. На рынке SiC действуют такие игроки, как Infineon, General Electric, NXP Semiconductors и STMicroelectronics и многие другие. Известная в России X-FAB Silicon Foundries на днях анонсировала планы удвоения своих производственных мощностей по выпуску изделий на базе SiC на пластинах 150 мм. Производство размещено на заводе компании в Lubbock, Техасе, США. Компания планирует до конца 2018 года установить на этом производстве вторую установку для ионного легирования, что и позволит вдвое нарастить производственные мощности по части выпуска изделий на базе SiC.

Кроме того, материалы для производства также придется покупать за рубежом. Высокочистый порошек SiC в мире выпускает не так уж много компаний, крупнейшими его поставщиками на сегодня являются Bridgestone, США, Washington Mills, США, LGInnotek, Корея и Pallidus, США. Есть также производители в Германии и Японии. Все это приводит к тому, что пластины SiC сравнительно дороги. То же касается и газа силана SiH4 (насыщенного кремневодорода), используемого в производстве.

Несмотря на то, что в 2014 году ОАО “Светлана” анонсировала разработку промышленной технологии производства монокристаллов и подложек карбида кремния 6H диаметром 7.62 см, пластины для производства изделий из SiC в России по-прежнему закупаются за рубежом. Небольшая конкуренция поставщиков приводит к тому, что производители пластин и субстратов SiC, такие как Cree (Wolfspeed) и Dow Corning, устанавливают сравнительно высокие цены на свои изделия.

Что же, в современной микроэлектронике выживают сильнейшие. Посмотрим, приживется ли новая технология на Ангстрем.

Следить за новостями микроэлектроники удобно в телеграм-канале RUSmicro.

+

Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный телекому.  

теги: микроэлектроника полупроводники Ангстрем SiC карбид кремния

+ +

© Алексей Бойко, MForum.ru


Публикации по теме:

05.01. [Новости компаний] Микроэлектроника: Onsemi представила новые решения на основе карбида кремния под брендом EliteSiC 1700В / MForum.ru

08.12. [Новости компаний] Микроэлектроника: TSMC утроит инвестиции в производство в Аризоне, вложив $40 млрд / MForum.ru

05.12. [Новости компаний] Onsemi / MForum.ru

05.12. [Новости компаний] Микроэлектроника: Тайваньская GlobalWafers построит первый за 20 лет завод по производству кремниевых пластин в США / MForum.ru

02.12. [Новости компаний] Микроэлектроника: ЗНТЦ запустит фотонные микросхемы в серию / MForum.ru

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

В форуме нет сообщений.

Новое сообщение:
Complete in 2 ms, lookup=0 ms, find=2 ms

Последние сообщения в форумах

Все форумы »



Поиск по сайту:

Подписка:

Подписаться
Отписаться


Новости

08.11. [Новинки] Анонсы: Samsung W25 – эксклюзивный складной смартфон для китайского рынка / MForum.ru

08.11. [Новинки] Анонсы: Представлен Samsung W25 Flip. Galaxy Z Fold 6 становится золотым? / MForum.ru

07.11. [Новинки] Слухи: Появилась информация о чипсете Kirin 9100 / MForum.ru

07.11. [Новинки] Анонсы: Бюджетный смартфон Vivo Y19s представлен официально / MForum.ru

06.11. [Новинки] Слухи: Honor 300 с зарядкой 100 Вт замечен в базе 3С / MForum.ru

06.11. [Новинки] Анонсы: Представлен прочный Honor X9c с аккумулятором емкостью 6600 мАч и камерой 108 Мп / MForum.ru

05.11. [Новинки] Анонсы: Realme GT7 Pro — флагман с режимом подводной фотосъемки / MForum.ru

05.11. [Новинки] Слухи: Появились подробности о iQOO Neo 10 и Neo 10 Pro / MForum.ru

04.11. [Новинки] Анонсы: Представлены Nokia 108 4G (2024) и Nokia 125 4G (2024) / MForum.ru

04.11. [Новинки] Слухи: Redmi K80 замечен на «живом» фото / MForum.ru

01.11. [Новинки] Анонсы: iQOO 13 дебютирует с Snapdragon 8 Elite, кольцом камеры RGB и огромной батареей / MForum.ru

01.11. [Новинки] Анонсы: Представлен OnePlus 13 с Snapdragon 8 Elite, обновленными камерами и АКБ 6000 мАч / MForum.ru

01.11. [Новинки] Слухи: Asus ROG Phone 9 Pro будет поддерживать рекордную частоту обновления экрана / MForum.ru

31.10. [Новинки] Анонсы: Xiaomi 15 Pro получает Snapdragon 8 Elite, 5-кратный перископ и мощную батарею / MForum.ru

30.10. [Новинки] Анонсы: Xiaomi Pad 7 и Pad 7 Pro дебютируют с 11,2-дюймовым дисплеем 144 Гц разрешением 3.2K / MForum.ru

29.10. [Новинки] Анонсы: Tecno MegaPad 10 – бюджетный планшет с длительным временем автономной работы / MForum.ru

28.10. [Новинки] Анонсы: Poco C75 с ценой $109 представлен официально / MForum.ru

25.10. [Новинки] Слухи: Samsung готовит смартфоны W25 и W25 Flip для китайского рынка / MForum.ru

25.10. [Новинки] Анонсы: Представлены Oppo Find X8 и X8 Pro — Dimensity 9400, впечатляющие камеры / MForum.ru

24.10. [Новинки] Слухи: Подтверждены основные характеристики Poco C75 / MForum.ru