Производитель полупроводников. Хорошая экспертиза в области силовых приборов SiC 

Новости

2023.05.18 ON Semiconductor намерена захватить 40% рынка автомобильных чипов из карбида кремния. Компания рассматривает возможность инвестировать $2 млрд в расширение производства чипов для электромобилей. У компании уже есть фабрики в США, Чехии и Корее, для расширения производства скорее всего будет выбрана одна из этих площадок. На встрече с финансовыми аналитиками, руководители ON Semi упомянули, что к 2027 году намерены захватить 40% рынка автомобильных чипов из карбида кремния. Для этого компания намерена увеличить объемы производства и продаж с $8,3 млрд в 2022 году до целевого значения в $13,9 млрд в 2027 году. Как ожидается, свободный денежный поток компании вырастет с $1,6 млрд до $3,5 - $4 млрд к 2027 году. 

2023.01.05 Onsemi представила новые решения на основе карбида кремния под брендом EliteSiC 1700В. Американская компания onsemi представит EliteSiC - новое семейство приборов на базе карбида кремния (SiC) на выставке CES2023. В нем три новых прибора, способных работать с напряжениями до 1700В - EliteSiC MOSFET (NTH4LO28N170M1) и два 1700В диода Шоттки (NDSH25170A, NDSH10170A). Появление таких приборов отвечает тренду на выпуск источников энергии со все более высоким напряжением, например, солнечные панели выпускаются с напряжением от 1100В до 1500В постоянного тока. У нового транзистора Vgs - 15В/25В, что позволяет применять этот прибор в приложениях, где требуется быстрое переключение. Напряжение затвора - до -10В.
В условиях испытаний, при напряжении 1200В и токе 40А полевой транзистор EliteSiC 1700В достигает заряда затвора Qg 200 нКл, что, по заявлениям компании, лучше, чем у конкурентных изделий, у которых этот показатель составляет порядка 300 нКл. Чем ниже этот параметр, тем более быстродействующим является прибор. Диоды Шоттки EliteSiC обеспечивают высокую разницу между максимальным обратным напряжением VRRM и пиковым повторяющимся обратным напряжением диода. Новые устройства также обеспечивают отличные значения обратной утечки с максимальным обратным током (IR) всего 40 мкА при 25C и 100 мкА при 175С, что лучше, чем у аналогичных устройств других производителей, которые зачастую не показывают ток ниже 100 мкА при 25С. Источник: digitimes.com

--

За новостями телекома и IT удобно следить в телеграм-канале abloud62. телеграм-трансляции и анонсы пресс-релизов вы найдете в канале abloudRealTime, также подключайтесь к каналу Бойко про телеком ВКонтакте

теги: микроэлектроника силовая электроника SiC onsemi