MForum.ru
15.03.2010,
"Ситроникс", "Роснанотех" и STMicroelectronics подписали соглашение о передаче технологии производства чипов с топологическими нормами 90 нм. На базе этой технологии создается производство на базе ОАО "НИИМЭ и Микрон".
"Ситроникс" получит лицензию на производство и продажу продукции по технологии 90 нм, а также доступ к правила проектирования, которые смогут использовать разработчики "Микрона" и другие компании на условиях контрактного произодства. Специалисты "Микрона" пройдут соответствующее обучение. STMicroelectronics также выдаст ОАО "Ситроникс" рекомендации по развитию инфраструктуры "Микрона" и требования к сверхчистым материалам".
В проект закачают 16.5 млрд рублей. Инвестором со стороны государства выступает ГК "Роснанотех". На базе этой не слишком новой технологии планируют отечественные разработки в области ГЛОНАСС/GPS, автомобильной электроники, смарт-карт, оборудования цифрового ТВ.
А что, тем временем, делается за границами?
В январе 2010 года объявлено, что технология 32 нм становится стандартом Intel при производстве микроэлектронных компонентов. На базе новой технологии будут, в частности, изготавливаться чипы со встроенными графическими решениями, поддерживающими видео высокой четкости (HD video). Еще в 2007 году Intel представила первую функциональную микросхему статической памяти, изготовленную по 32-нм технологическому процессу на транзисторах с металлическим затвором и диэлектриком high-k, содержащую более 1.9 млрд транзисторов.
45-65 нм - технология, которой по состоянию на конец 2007 года в мире владеют ST Microelectronics, IBM, Samsung, TSMC (2 завода GigaFAB 12", 4 завода 8", 1 завод 6". TSMC первой перешла на 65 нм), Intel, AMD, Texas Instruments. 45 нм продукцию на базе 300 мм подложек выпускают фабрики Intel D1D (Орегон, США), Fab 32 (Чэндлер, Аризона, США). В 2008 году запущены еще две 300 мм фабрики (Fab11X и Fab28). Примерная минимальная стоимость фабрики $2.5 млрд. Intel представил уже 32 45-нм процессора для сереров и ноутбуков по состоянию на 2008.01.
Публикации по теме:
05.01. [Новости компаний] Микроэлектроника: Onsemi представила новые решения на основе карбида кремния под брендом EliteSiC 1700В / MForum.ru
08.12. [Новости компаний] Микроэлектроника: TSMC утроит инвестиции в производство в Аризоне, вложив $40 млрд / MForum.ru
05.12. [Новости компаний] Onsemi / MForum.ru
05.12. [Новости компаний] Микроэлектроника: Тайваньская GlobalWafers построит первый за 20 лет завод по производству кремниевых пластин в США / MForum.ru
02.12. [Новости компаний] Микроэлектроника: ЗНТЦ запустит фотонные микросхемы в серию / MForum.ru
СИТРОНИКС подписал соглашение о передаче технологии производства микросхем с нормами 90 Нм
Москва – 15 марта 2010 года, пресс-релиз, через MForum.ru - ОАО «СИТРОНИКС», ГК «Роснанотех» и компания STMicroelectronics подписали трехстороннее соглашение о передаче технологии производства интегральных схем с топологическими нормами 90 нм. Трансферт технологии стал ключевым этапом совместного проекта «СИТРОНИКС» и РОСНАНО по созданию производственной линейки 90 нм на базе ОАО «НИИМЭ и Микрон», а также новым шагом в развитии сотрудничества «СИТРОНИКС» со стратегическими международными партнерами.
В результате трансферта технологии «СИТРОНИКС» получит лицензию на производство и продажу продукции по технологии 90 нм, а также доступ к правилам проектирования. Данные правила проектирования будут использоваться разработчиками «Микрона» или сторонними разработчиками в режиме контрактного производства. В соответствии с соглашением, специалисты завода «Микрон» пройдут обучение проектированию интегральных схем по технологии 90 нм и ряд других учебных курсов. STMicroelectronics также передаст ОАО «СИТРОНИКС» рекомендации по развитию инфраструктуры «Микрона» и требования к сверхчистым материалам, используемым в процессе производства. ОАО «НИИМЭ и Микрон», головное предприятие бизнес-направления «СИТРОНИКС Микроэлектроника», успешно сотрудничает с STMicroelectronics с 2006 года, когда было подписано соглашение о передаче технологии 180 нм EEPROM. В настоящий момент эта технология освоена, ведется производство продукции.
Вице-президент STMicroelectronics по EMEA Жан-Марк Шомон сказал: «Сотрудничество с «СИТРОНИКС» стало для STMicroeletronics одним из ключевых направлений деятельности в России. Мы высоко оцениваем как надежность нашего партнера, так и потенциал российского рынка и видим все предпосылки для успешной реализации нового проекта».
Проект создания фабрики 90 нм построен на принципах частно-государственного партнерства. Инвестором со стороны государства выступает ГК «Роснанотех». Общий объем финансирования проекта составляет 16,5 млрд рублей.
Управляющий директор «Роснано» Дионис Гордин отметил: «Фабрика 90 нм на «Микроне» - это самый масштабный и передовой инвестиционный проект «Роснано» в микро- и наноэлектронике. Мы рассчитываем на эффект синергии: наличие собственной производственной базы наноэлектроники станет системообразующим фактором, который даст толчок для развития целого ряда смежных сегментов отечественной электроники и других высокотехнологичных отраслей».
Генеральный директор ОАО «НИИМЭ и Микрон» Геннадий Красников подчеркнул: «Передачу технологии можно считать стартом нового перспективного проекта. Многое дал опыт работы над строительством фабрики 180 нм. Мы получили уникальные активы: создана инфраструктура, налажены связи с производителями оборудования, поставщиками материалов, разработчиками и потребителями конечной продукции, и самое главное — выращены квалифицированные кадры, готовые применить свой опыт в новом проекте».
Благодаря новому производству «СИТРОНИКС Микроэлектроника» расширит свою продуктовую линейку, российские дизайн-центры получат возможность производства своих разработок на территории России по технологии 90 нм. Продукция, которая будет выпускаться по этой технологии, нацелена на такие рынки, как цифровое телевидение, ГЛОНАСС/GPS навигация, системы автоматизации производства, автомобильная электроника и смарт-карты с высокой степенью защиты.
22.01. [Новинки] Слухи: Apple iPhone SE 4 получит Dynamic Island / MForum.ru
21.01. [Новинки] Слухи: Samsung Galaxy S26 Ultra может получить 200 Мп сенсор / MForum.ru
21.01. [Новинки] Слухи: Google Pixel 10a работает над оптимизацией стоимости Google Pixel 10a / MForum.ru
21.01. [Новинки] Слухи: iQOO Neo10R для индийского рынка представят в феврале / MForum.ru
20.01. [Новинки] Слухи: Раскрыты европейские цены смартфонов Samsung Galaxy S25 / MForum.ru
17.01. [Новинки] Слухи: Realme P3 будет доступен в трех комбинациях памяти и трех цветах / MForum.ru
17.01. [Новинки] Слухи: Раскрыты подробности о чипсетах будущих планшетов Samsung / MForum.ru
16.01. [Новинки] Слухи: Раскрыта толщина складного смартфона Oppo Find N5 / MForum.ru
16.01. [Новинки] Анонсы: Складной смартфон Nubia Flip 2 с 6,9-дюймовым дисплеем появился в Японии / MForum.ru
15.01. [Новинки] Анонсы: Motorola представила Moto G Power 2025 и Moto G 2025 / MForum.ru
15.01. [Новинки] Слухи: Realme работает над 4G-версией Realme 14x / MForum.ru
14.01. [Новинки] Анонсы: Huawei Band 9 представлен официально / MForum.ru
14.01. [Новинки] Слухи: Redmi Turbo 4 Pro будет основан на Snapdragon 8s Elite / MFiorum.ru
13.01. [Новинки] Слухи: В сети появились рендеры смартфонов семейства Samsung Galaxy S25 / MForum.ru
13.01. [Новинки] Анонсы: Представлен бюджетный планшет Lenovo Tab / MForum.ru
10.01. [Новинки] Анонсы: TCL представила технологию Nxtpaper 4.0 в новом планшете Nxtpaper 11 Plus / MForum.ru
10.01. [Новинки] Анонсы: Realme 14 Pro+ анонсирован в Китае / MForum.ru
09.01. [Новинки] Слухи: Раскрыты подробности о Samsung Galaxy S25 Ultra / MForum.ru
09.01. [Новинки] Слухи: Раскрыты подробности об экране и чипсете Redmi K80 Ultra / MForum.ru
09.01. [Новинки] Анонсы: Lenovo Legion Tab (2025) получил Snapdragon 8 Gen 3 и цену в $500 / MForum.ru