Исполнителем по проекту выступает Институт физики микроструктур Российской академии наук (ИФМ РАН), Нижний Новгород, филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения «Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А. В. Гапонова-Грехова Российской академии наук».

Заявленные цели проекта - проверка и подтверждение ключевых технических решений; достижение проектных норм производства СБИС на уровне EUV-литографов ASML; обеспечение сравнимой производительности с оборудованием мирового лидера в этой области.

Пока что речь, скорее, об этапе НИР, чем об ОКР.

Учитывая то, что купить EUV литограф у ASML для ряда стран практически невозможно, это открыло бы для России ряд новых возможностей, как по использованию такого оборудования на собственных производствах, так и в части экспортных возможностей.

Судя по доступным сообщениям, проект пока что находится, что называется, на ранней стадии. При этом у ИФМ РАН есть компетенции в области создания метрологических и технологических установок для многослойной рентгеновской оптики, есть действующий прототип источника излучения, а также макеты ключевых узлов.

--

теги: микроэлектроника рентгеновский фотолитограф разработка производственное оборудование микроэлектроники EUV фотолитография

--