MForum.ru
23.02.2025,
Люди давно стремятся к использованию терагерцовых волн, поскольку это обещает высокоскоростную связь, сверхбыструю передачу данных, расширенную медицинскую визуализацию и точный мониторинг окружающей среды. Возможны и применения в приложениях контроля качества в промышленности, в решениях безопасности. Но мешают технологические ограничения.
Что конкретно мешает?
Взаимодействие терагерцовых волн с веществом зависит от его диэлектрической проницаемости. К сожалению, кремний имеет высокую диэлектрическую проницаемость, намного выше, чем у воздуха. Поэтому большинство терагерцовых волн, сформированных терагерцовым генератором, отражается на границе кремний-воздух. Для решения этой проблемы обычно используют кремниевые линзы, фокусирующие волны в более мощный пучок. Но эти линзы велики по размерам, что затрудняет их интеграцию с кремниевой электроникой и практическое использование.
В MIT (EECS) разработали безлинзовый метод, основанный на согласовании диэлектрической проницаемости воздуха с его коэффициентом 1 и кремнием с его 11. На тыльную сторону чипа был помещен тонкий лист коммерчески доступного материала с коэффициентом больше, чем у воздуха, но меньше, чем у кремния. Теперь вместо одного перехода их два, но каждый – меньше по величине, что упрощает для волн их прохождение. Лазером в листе сформированы микроотверстия, подгоняющие диэлектрическую проницаемость к оптимальному значению, оптимизирующему прохождение терагерцовых волн через границу сред.
Кроме того, была задействована система усилителя-умножителя сигнала терагерцового диапазона с использованием более СВЧ-транзисторов, разработанных Intel. В отличие от традиционных КМОП, эти транзисторы обладают более высокой максимальной частотой работы и напряжением пробоя.
«Более мощные транзисторы, лист диэлектрика и несколько других небольших инноваций, позволили нам превзойти параметры нескольких других устройств», - утверждает Джинчен Ван, ведущий автор исследования. «Чип генерировал терагерцовые сигналы с пиковой мощностью 11,1 дБм, что является лучшим показателем».
Для использования терагерцовых волн в практических целях этого мало, нужен не один чип-генератор, а массив из нескольких десятков или сотен чипов, с высокой плотностью их размещения. Этот массив позволит создать фазированную решетку источников терагерцового излучения, способную формировать мощный управляемый луч. Над созданием такого устройства исследователи работают сейчас.
Одной из сложной задач было решить проблему управления мощностью и температурой, тем более, что многие стандартные методы проектирования КМОП-чипов в этой ситуации неприменимы. Если в итоге все получится, можно с уверенностью прогнозировать, что терагерцовые модули будут интегрироваться в самые разные электронные устройства.
Исследование частично поддерживается Лабораторией реактивного движения NASA и Программой стратегического университетского исследовательского партнерства, а также Центром интегральных схем и систем Массачусетского технологического института. Чип был изготовлен в рамках программы Intel University Shuttle.
--
За новостями телекома и IT удобно следить в телеграм-канале abloud62. Региональные новости и анонсы пресс-релизов вы найдете в канале abloudRealTime, также подключайтесь к каналу Бойко про телеком ВКонтакте
теги: микроэлектроника терагерцовое СВЧ
--
Публикации по теме:
21.02. [Новости компаний] Микроэлектроника: STMicro выпустит фотонный чип, разработанный совместно с Amazon для ЦОД ИИ / MForum.ru
21.02. [Новости компаний] Микроэлектроника: В России могли бы выпускать в 5-10 раз больше отечественных смартфонов и планшетов / MForum.ru
20.02. [Новости компаний] Микроэлектроника: Lam Research представляет два новых инструмента для производства ИИ-чипов / MForum.ru
20.02. [Новости компаний] Микроэлектроника: 4.7 Гбит/с, 332 слоя – Kioxia и SanDisk совместно представили новое решение 3D NAND флэш памяти / MForum.ru
20.02. [Новости компаний] Микроэлектроника: Микрон расскажет об импортзамещении материалов / MForum.ru
21.02. [Новинки] Анонсы: Oppo анонсирует невероятно тонкий складной смартфон Find N5 / MForum.ru
21.02. [Новинки] Анонсы: Vivo Y29 4G с АКБ 6500 мАч представлен в Бангладеш / MForum.ru
20.02. [Новинки] Анонсы: Samsung Galaxy A06 5G представлен в Индии / MForum.ru
20.02. [Новинки] Анонсы: Представлен iPhone 16e с чипом A18 и одинарной тыловой камерой / MForum.ru
19.02. [Новинки] Анонсы: OnePlus Watch 3 дебютирует с отполированным внешним видом и обновленным АКБ / MForum.ru
19.02. [Новинки] Слухи: Серию Nothing Phone (3a) представят 4 марта / MForum.ru
19.02. [Новинки] Слухи: Samsung Galaxy A36 готовится к анонсу / MForum.ru
18.02. [Новинки] Слухи: Раскрыты подробности об Oppo Find X8 Mini / MForum.ru
18.02. [Новинки] Анонсы: Vivo V50 дебютирует с аккумулятором емкостью 6000 мАч и знакомыми характеристиками / MForum.ru
17.02. [Новинки] Анонсы: Представлены Lava Prowatch X с AMOLED-экраном, рейтингом IP68 и 10 днями автономности / MForum.ru
17.02. [Новинки] Анонсы: ZTE Blade V70 Max дебютирует с АКБ 6000 мАч и 6,9-дюймовым экраном / MForum.ru
14.02. [Новинки] Анонсы: Tecno раскрыла героев своей презентации на MWC / MForum.ru
14.02. [Новинки] Слухи: Oppo Find N5 показали на тизерах / MForum.ru
13.02. [Новинки] Анонсы: Realme GT 7 Pro Racing Edition представлен официально / MForum.ru
13.02. [Новинки] Слухи: Раскрыты подробности о чипсетах Honor 400, 400 Pro и GT Pro / MForum.ru
12.02. [Новинки] Слухи: Раскрыты чипсет, оперативная память и версия Android vivo V50e / MForum.ru
12.02. [Новинки] Слухи: Появились подробности о iQOO Z10 Turbo и Z10 Turbo Pro / MForum.ru
12.02. [Новинки] Слухи: Samsung Galaxy A06 5G готовится к анонсу / MForum.ru
12.02. [Новинки] Анонсы: HMD Aura² представлен официально / MForum.ru
11.02. [Новинки] Слухи: Samsung Galaxy S26 могут получить АКБ Silicon-Carbon ёмкостью до 7000 мАч / MForum.ru