MForum.ru
28.10.2019,
Сегнетоэлектрики это материалы, которые одновременно могут обладать характеристиками диэлектриков, но при этом поляризоваться, сохраняя заряды даже при отсутствии внешнего электрического поля. Как правило, спонтанная поляризация проявляется при определенной температуре или за счет приложенного внешнего поля или внешнего напряжения. Среди сегнетоэлектриков могут быть пьезоэлектрики и пироэлектрики, спонтанная поляризация которых не зависит от внешних факторов. Типичные сегнетоэлектрики, например: сегнетова соль, титанат свинца, двойная соль винной кислоты, титанат бария, необат лития и другие.
Новости
2019.11.28 Специалисты МИФИ, работая совместно с учеными Германии и США, разработали методику измерения распределения электрического потенциала внутри сегнетоэлектрического конденсатора.
Считается, что на основе таких конденсаторов будет создаваться перспективная энергонезависимая память с быстродействием на порядок более высоким, нежели, чем у современной флэш-памяти. Что не менее важно, ожидается, что ресурс перспективной памяти превзойдет ресурс современной чуть ли не в миллион раз.
Перспективным материалом считается оксид гафния HfO2, аморфный диэлектрик, который при определенных условиях может образовывать стабильные кристаллы с сегнетоэлектрическими свойствами. В основе новой ячейки памяти - тонкий слой оксида гафния толщиной 10нм. С двух сторон к нему примыкают электроды, как и в обычном конденсаторе.
Чтобы такой конденсатор получился эффективным, необходимо добиться от конструкции максимально возможной поляризации. А для этого важно разобраться, какие в точности процессы идут внутри нанослоя. До сих пор исследователи сегнетоэлектриков оперировали только математическими моделями, теперь, после работы российских и зарубежных ученых, появляется возможность проводить измерения в исследуемых образцах.
Для этого был задействован метод высокоэнергетической рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Подходящая установка есть в Гамбурге (ФРГ), здесь и экспериментировали с конденсаторами.
У нового изделия есть несколько великолепных свойств: существенно более высокое число циклов перезаписи, а также слабая чувствительность к радиационному воздействию.
Темой в МИФИ занимаются: Андрей Глосковский, Юрий Матвеев, Дмитрий Негров, Виталий Михеев и Андрей Зенкевич. Источники: tadviser.ru ; mri-progress.ru
2019.07.10 В Университете Нового Южного Уэльса (Австралия) экспериментируют с дителлуридом вольфрама в кристаллической форме. Этот материал при комнатной температуре обладает, как свойствами металла, так и свойствами сегнетоэлектрика, что сулит перспективы его использования в силовой микроэлектронике. / hi-news.ru
2018.05.21 Физики из МФТИ доказали, что состояние сегнетоэлектрической памяти зависит от перестройки кристаллической решетки материала из которого она состоит. Вместе с сотрудниками Университета Небраски, США, ученые показали, что в пленке из оксида гафния Hf0.5Zr0.5O2 при воздействии электрического поля часть электронов смещается в сторону, создавая заряженный участок, и этот заряд сохраняется даже после прекращения действия внешнего электрического поля, что свойственно группе материалов под названием сегнетоэлектрики.
Сегнетоэлектрики остаются поляризованными, как ферромагнетики продолжают быть намагниченными. Этот эффект может быть использован для создания микроскопических ячеек для компьютерной памяти.
Исследования подтвердили, что в результате воздействия электрического поля перестраивается кристаллическая решетка оксида гафния. Это прояснило природу сэгнетоэлектрических свойств этого материала.
Оксид гафния интересен тем, что он уже применяется в микроэлектронной промышленности, например, в процессорах Intel. Конформную (однородную по толщине) пленку оксида гафния толщиной от 5 до 20 нм можно получать методом атомно-слоевого осаждения. Это обеспечивает материалу потенциальную применимость, как в современной микроэлектронике, так и в перспективе, например, в трехмерной микроэлектронике. Подробнее http://polit.ru/article/2018/05/16/ps_mipt/ ; статья в ACS Applied Materials and Interfaces https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsami.7b17482
Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике
подписывайтесь: на Facebook-страницу, посвященную микроэлектронике
+ +
© Алексей Бойко,
Публикации по теме:
04.03. [Краткие новости] Термины рынка микроэлектроники / MForum.ru
21.02. [Краткие новости] Микроэлектроника / MForum.ru
Специалисты МИФИ, работая совместно с учеными Германии и США, разработали методику измерения распределения электрического потенциала внутри сегнетоэлектрического конденсатора
Считается, что на основе таких конденсаторов будет создаваться перспективная энергонезависимая память, с быстродействием на порядок более высоким, нежели, чем у современной флэш-памяти. Что не менее важно, ожидается, что ресурс перспективной памяти превзойдет ресурс современной примерно в миллион раз.
Перспективным материалом считается оксид гафния HfO2, аморфный диэлектрик, который при определенных условиях может образовывать стабильные кристаллы с сегнетоэлектрическими свойствами. В основе новой ячейки памяти - тонкий слой оксида гафния, 10нм. С двух сторон к нему примыкают электроды, как и в обычном конденсаторе.
Чтобы такой конденсатор получился эффективным, необходимо добиться от конструкции максимально возможной поляризации. А для этого хорошо бы разобраться, какие в точности процессы идут внутри нанослоя. До сих пор исследователи сегнетоэлектриков оперировали только математическими моделями, теперь, после работы российских и зарубежных ученых, появляется возможность проводить измерения в исследуемых образцах.
Для этого был задействован метод высокоэнергетической рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Подходящая установка есть в Гамбурге (ФРГ), здесь и экспериментировали с конденсаторами.
У нового изделия есть несколько великолепных свойств: существенно более высокое число циклов перезаписи, а также слабая чувствительность к радиационному воздействию.
Темой в МИФИ занимаются: Андрей Глосковский, Юрий Матвеев, Дмитрий Негров, Виталий Михеев и Андрей Зенкевич.
Источник:
21.11. [Новинки] Анонсы: Oppo Find X8 и X8 Pro выходят на глобальный рынок / MForum.ru
21.11. [Новинки] Слухи: Google отменяет Pixel Tablet 3 / MForum.ru
20.11. [Новинки] Слухи: Reno 13 и Reno 13 Pro замечены в Geekbench / MForum.ru
20.11. [Новинки] Слухи: Nubia Z70 Ultra с впечатляющей камерой представят 21 ноября / MForum.ru
19.11. [Новинки] Анонсы: Представлен ZTE Blade V70 с основной камерой 108 МП и аналогом Dynamic Island / MForum.ru
19.11. [Новинки] Слухи: HMD Icon Flip 1 готовится к анонсу / MForum.ru
18.11. [Новинки] Слухи: Samsung Galaxy A36 получит улучшенную фронтальную камеру / MForum.ru
18.11. [Новинки] Слухи: Vivo Y300 5G появился на «живых» фото / MForum.ru
15.11. [Новинки] Слухи: Стали известные некоторые спецификации Realme C75 / MForum.ru
15.11. [Новинки] Слухи: Realme Narzo 70 Curve готовится к анонсу / MForum.ru
14.11. [Новинки] Анонсы: Представлены Nubia Red Magix 10 Pro и 10 Pro+ с SD 8 Elite и огромными батареями / MForum.ru
13.11. [Новинки] Слухи: Vivo X200 и X200 Pro готовятся к глобальному релизу / MForum.ru
13.11. [Новинки] Слухи: Стали известны основные характеристики и особенности серии iQOO Neo10 / MForum.ru
12.11. [Новинки] Анонсы: Red Magic 10 позирует на рендерах / MForum.ru
11.11. [Новинки] Анонсы: Huawei MatePad 11.5 (2024) представлен официально / MForum.ru
11.11. [Новинки] Слухи: Samsung выпустит Galaxy S25 Slim в 2025 апреле года / MForum.ru
08.11. [Новинки] Анонсы: Samsung W25 – эксклюзивный складной смартфон для китайского рынка / MForum.ru
08.11. [Новинки] Анонсы: Представлен Samsung W25 Flip. Galaxy Z Fold 6 становится золотым? / MForum.ru
07.11. [Новинки] Слухи: Появилась информация о чипсете Kirin 9100 / MForum.ru
07.11. [Новинки] Анонсы: Бюджетный смартфон Vivo Y19s представлен официально / MForum.ru