Технологии. Микроэлектроника: Intel переводит производство флэш-памяти типа NOR для встраиваемых систем на 65-нанометровый технологический процесс

MForum.ru

Технологии. Микроэлектроника: Intel переводит производство флэш-памяти типа NOR для встраиваемых систем на 65-нанометровый технологический процесс

23.08.2007, MForum.ru

Сегодня корпорация Intel опубликовала планы по расширению ассортимента встраиваемой флэш-памяти типа NOR за счет 65-нанометрового поколения продукции – этот шаг ориентирован на заказчиков, выпускающих интегрированные системы. По заявлению компании, переход к использованию 65-нанометровой производственной технологии позволит сбалансировать соотношение между ценой и производительностью, а также продлить жизненный цикл продукции; эти факторы имеют большое значение для OEM-производителей, создающих встраиваемые решения. Начало поставок опытных партий 65-нанометровой продукции Intel, которая обычно используется в устройствах бытовой электроники, в проводном коммуникационном оборудовании и в промышленных приложениях, запланировано на первую половину 2008 г.


«Большинство встраиваемых решений остается в производстве дольше, чем сотовые телефоны или другие устройства бытовой электроники, – говорит Глен Хоук (Glen Hawk), директор подразделения Intel Flash Products Group. – Беспроводные компоненты Intel типа NOR для беспроводных коммуникаций уже выпускаются в массовых объемах по этой передовой производственной технологии. Мы используем полученные знания и опыт для ускорения разработок и поставок своей продукции».

Переход к использованию 65-нанометровой производственной технологии для выпуска встраиваемых компонентов позволит Intel продлить жизненный цикл своей продукции, а также расширить ее функциональные возможности и повысить экономическую эффективность. Предлагаемая Intel продукция типа NOR для сегмента встраиваемых систем включает решения с параллельной и с последовательной выборкой. Встраиваемая память Intel® StrataFlash® (P30/P33) выполнена на одной микросхеме, содержит код и данные, отличается высокой плотностью данных и производительностью, а также наименьшей стоимостью в расчете на 1 бит. Встраиваемая флэш-память Intel® Embedded Flash Memory (J3 v.D) позволяет обновлять устаревшие конструкции методом вставки (drop-in). Ее расширенные функциональные возможности обеспечивают поддержку серийных встраиваемых приложений, которым требуются соответствующие функции и масштабируемость. Флэш-память Intel® Serial Flash Memory (S33), отвечающая отраслевым стандартам, позволяет упростить конструкцию плат, экономит место на плате, имеет меньшее число выводов, более компактный корпус и применяется в широком спектре устройств, таких как телевизоры, DVD-проигрыватели, ПК, модемы и принтеры.

© MForum.ru


Публикации по теме:

21.07. [Новости компаний] Микроэлектроника: Американские производители чипов продолжают доминировать в инвестициях в разработку технологий микроэлектроники / MForum.ru

06.05. [Новости компаний] Микроэлектроника: Индия все ближе к развертыванию локального производства микросхем / MForum.ru

09.02. [Новости компаний] Микроэлектроника: В Китае запускают агентство по привлечению иностранных производителей микросхем / MForum.ru

13.01. [Новости компаний] Микроэлектроника: Схватка трех гигантов - чего ожидать от TSMC, Samsung Electronics и Intel в ближайшие годы / MForum.ru

21.11. [Новости компаний] Микроэлектроника: IC Insights отмечает стремительный рост доходов отрасли производства микроэлектроники / MForum.ru

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

В форуме нет сообщений.

Новое сообщение:
Complete in 2 ms, lookup=0 ms, find=2 ms

Последние сообщения в форумах

Все форумы »



Поиск по сайту:

Подписка:

Подписаться
Отписаться


Новости

07.02. [Новинки] Слухи: Раскрыты цены Google Pixel 9a в США и Европе / MForum.ru

07.02. [Новинки] Слухи: Официально раскрыты основные характеристики и дата анонса Realme P3 Pro / MForum.ru

06.02. [Новинки] Слухи: OnePlus 13R получит сдвоенную камеру. Но это не точно / MForum.ru

06.02. [Новинки] Слухи: Xiaomi Mix Flip 2 получит АКБ емкостью 5100 мАч / MForum.ru

05.02. [Новинки] Слухи: Vivo V50 готовится к анонсу / MForum.ru

04.02. [Новинки] Слухи: Nubia V70 Max анонсируют 15 февраля, характеристики уже известны / MForum.ru

04.02. [Новинки] Слухи: Появилась информация о дате анонса Xiaomi 15 Ultra / MForum.ru

03.02. [Новинки] Анонсы: Doogee S119 – прочный смартфон со 108 Мп камерой, АКБ 10200 мАч и дополнительным экраном / MForum.ru

03.02. [Новинки] Слухи: Новая серия Pova на подходе / MForum.ru

31.01. [Новинки] Слухи: Honor работает над планшетом Pad X9a / MForum.ru

30.01. [Новинки] Слухи: Появились подробности о камерах Samsung Galaxy S25 Edge / MForum.ru

30.01. [Новинки] Слухи: Раскрыты подробности о Nothing Phone (3a) и (3a) Pro / MForum.ru

29.01. [Новинки] Анонсы: TCL P10 Color Ink Eye Protection с технологией NXTPAPER представлен в Китае / MForum.ru

29.01. [Новинки] Слухи: Nothing Phone (3a) получит больший экран 6,8'' и телеобъектив 50 Мп / MForum.ru

28.01. [Новинки] Слухи: Грядущий анонс смартфона iQOO Neo 10R подтвержден официально / MForum.ru

27.01. [Новинки] Анонсы: Lava Yuva Smart – смартфон за 6000 рупий / MForum.ru

27.01. [Новинки] Слухи: Vivo V50 представят в феврале, V50 Pro - позже / MForum.ru

24.01. [Новинки] Слухи: Tecno работает над серией смартфонов Camon 40 / MForum.ru

24.01. [Новинки] Анонсы: Galaxy S25 Ultra – первый телефон Samsung с 16 ГБ оперативной памяти / MForum.ru

23.01. [Новинки] Анонсы: Samsung Galaxy S25 и S25+ оснащены Snapdragon 8 Elite и 12 Гб ОЗУ для всех рынков / MForum.ru